Search Results (All Fields:"características", Author:"Carlos de Mora Buendía", isMemberOf:"oaingeec:ing-elec-col-02721ff70b004")

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Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 379 79
Transistor pJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 494 101
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 370 88
Transistor nJFET. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 473 93
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 363 99
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 456 98
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 504 102
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 591 107
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 376 95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 368 94
Característica colector-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 737 118
Característica de entrada de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 625 122
Transistor pMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 802 186
Transistor nJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 490 94
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 404 83
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 601 116
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 379 85
Característica base-emisor del transistor NPN. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 736 123
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 617 105
Transistor pJFET. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 499 97
Simulación Problema P5.12 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 392 90
Transistor nMOS empobrecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 539 109
Simulación Problema P5.13 Trazado de la característica (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 382 87
Característica de salida de los transistores bipolares (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 701 156
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 474 94
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 383 82
Transistor pMOS empobrecimiento. Característica de entrada. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 471 89
Transistor nMOS enriquecimiento. Característica de transferencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  4.75 508 89